行家說“一周要聞”又來了！

碳化硅方面，應用趨勢不斷增強，比如英博爾的SiC電機控制器已被美國福特、一汽大眾采用；易事特的SiC充電樁等關鍵技術預研取得了突破進展。

氮化鎵方面，技術研發風氣也越發濃厚，比如湖南矽茂投入5000萬元開發5G基站氮化鎵電源；芯朋微投入1000萬研發車硅氮化鎵驅動；晶導微電子投入1400萬元研發氮化鎵合封技術。

碳化硅

近9000萬！臺灣計劃補貼3家SiC/GaN企業

據臺媒4月24日報道，中國臺灣省經濟部預計撥出4億臺幣（約9000萬人民幣），首階段重點是培養臺灣境內自制8吋碳化硅長晶爐設備的能力，將在5月投資2家半導體廠，分別是導電型與絕緣型。計劃每家補助一半研發經費，最高1.5億臺幣（約3300萬人民幣）。此外今年也會投資1家8吋氮化稼磊晶設備廠，最高1億臺幣（約2200萬人民幣），目標是在2024、2025年實現長晶爐與磊晶設備自主化生產。

福特、大眾采用英博爾SiC電機控制器

72伏。英搏爾控制器，電動四輪車交流電機控制，3526-60v控制器3527-72v控制器3528-48-72v控制器，3336等型號。珠海英搏爾電氣股份有限公司是一家專注于電動車輛電機控制系統技術自主創新與產品研發的高新技術企業，主營業務系。

4月23日，英搏爾2021年年度報告顯示，他們的“集成芯”驅動總成2.0產品第三代半導體碳化硅(SiC)的應用，是實現新能源汽車電機控制器功率密度和效率大幅提升的關鍵要素，3527英博爾控制器電路圖，也是800V高壓大功率發展場景下，縮短充電時間，增加續航里程的重要手段，對于提升用車體驗有重要意義。

目前該公司已向美國福特汽車交樣SiC電機控制器，一汽大眾搭載該公司采用SiC單管集成的雙電機控制器聯合開發順利推進，在電機控制器向高壓大功率發展的技術迭代過程中，具有明顯的先發優勢。

易事特：碳化硅充電樁等取得突破進展

其《碳化硅晶片、功率器件和高頻電能變換關鍵技術研發及產業化》項目，主要研發基于 SiC 技術的矩陣變頻(AC/AC)、組串式光伏逆變器( DC/AC)、 直流充電樁雙向 AC/DC 變換器、儲能電池功率接口裝置( DC/DC)，并進行示范應用。

泰克聯合忱芯：

電機轉子短路。英博爾控制器是一款自動控制裝置，其功能眾多，主要應用于電動汽車領域，該控制出現前進正常后退很慢的情況，其主要原因是電機轉子短路造成的，可以去往當地維修點維修即可。

交付全自動化SiC功率模塊動態測試系統

近日，泰克科技聯合忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態測試系統。該系統為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態測試系統。

創能動力與應科院、ASM太平洋科技

合作開發碳化硅電源模塊

氮化鎵

湖南矽茂：投入5000萬元開發5G基站電源

愛發科推出濺射法GaN外延生長模塊

1、車不動控制器報警一長七短為編碼器壞，更換編碼器即可。（車行駛緩慢電流大也是 編碼器故障）2、行駛中停車控制器報警一長七短，關掉鑰匙重啟可以繼續行駛的，為電機漏洞故障，建議更換電機。

4月20日，ULVAC宣布開發了使用濺射法的 GaN 外延薄膜形成技術“RaSE 方法”和使用該技術的濺射模塊“SEGul”。ULVAC應用長年培育的濺射技術，開發出新的“RaSE法”，通過濺射法實現了GaN的外延生長。“SEGul”將把這項技術優化為可用于生產線的大直徑濺射器件，并將其作為制造GaN器件的新選擇。* RaSE：自由基輔助濺射外延

賓夕法尼亞州立大學：

研究GaN電子輻射效應應用

芯朋微投入1000萬研發車硅氮化鎵驅動

無錫芯朋微電子股份有限公司 2021 年年度報告顯示，他們正在開展”高頻大電流氮化鎵 驅動芯片研發“項目，預計投資規模為1000萬元，目標是提升 GaN 功率器件用驅動芯片工作頻率， 提高系統工作頻率、減小無源器件尺寸、 縮小系統體積、提升電源功率密度，目標應用包括5G 通訊、云計算服務器及電動汽車。

晶導微電子：

投入1400萬元研發氮化鎵合封技術

您好，英搏爾控制器一定是3623比3624的續航能力強。英博爾控制器3623的續航能力是24小時，3624則可以達到48小時，這款續航器是珠海英搏爾電氣有限公司制造，它是由一家專業從事電動車及清潔能源車電氣系統的研發、生產和銷售。